一、高密度互連設(shè)計：從微米級布線到三維集成的技術(shù)躍遷

IC 封裝基板作為連接芯片與外部電路的核心載體，其設(shè)計能力直接決定先進封裝技術(shù)的落地可行性。在 Chiplet 異構(gòu)集成、HBM 存儲芯片等新興需求驅(qū)動下，基板設(shè)計正從傳統(tǒng)的平面布線向3μm 線寬 / 線距、20 層以上高多層結(jié)構(gòu)及玻璃基板等方向迭代。以高性能計算芯片封裝為例，基板需支持多芯片間2μm 級布線精度與硅通孔（TSV）垂直互連，層間對準精度要求 < 75μm，微孔加工（直徑 < 50μm）與電鍍填孔工藝成為實現(xiàn)盲孔互連的關(guān)鍵。國內(nèi)領(lǐng)先企業(yè)通過改良型半加成法（mSAP）與激光鉆孔技術(shù)，已實現(xiàn) ABF 載板80% 以上良率，16 層服務器級基板通過頭部客戶認證。

二、材料創(chuàng)新與性能平衡：從 BT 樹脂到玻璃基板的演進路徑

? ABF 載板：作為 FC-BGA 封裝的核心材料，ABF 樹脂薄膜厚度 < 10μm，支持 3μm/3μm 超精細線路，其技術(shù)壁壘主要體現(xiàn)在材料供應與增層工藝。國內(nèi)企業(yè)通過CBF 積層絕緣膜技術(shù)突破，逐步實現(xiàn)材料自主化，推動 ABF 載板成本降低與產(chǎn)能提升。

? 陶瓷基板：氮化鋁（AlN）熱導率達 320 W/m?K，適用于功率器件與航空航天領(lǐng)域；新型玻璃基板憑借  低熱膨脹系數(shù)（CTE<3ppm/℃）與納米級表面平坦度，正成為 Chiplet 中介層的潛力材料。

? 散熱設(shè)計創(chuàng)新：針對 AI 芯片的高熱流密度需求，基板通過金屬基板（銅合金）、均熱板（Vapor Chamber） 及微通道液冷集成技術(shù)，可將芯片結(jié)溫降低 10-15℃，滿足數(shù)據(jù)中心服務器的高負載需求。

三、國產(chǎn)替代進程：從技術(shù)跟跑到局部領(lǐng)先的關(guān)鍵突破

在全球 IC 載板市場由日、韓、臺企業(yè)主導的格局下（前十大廠商份額超 80%），國內(nèi)企業(yè)通過工藝創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同實現(xiàn)快速追趕：

? 高多層基板：國內(nèi)頭部企業(yè)已攻克 20 層以上 FC-BGA 基板，應用于 5G 基站核心模塊，打破日企的壟斷。

? 材料國產(chǎn)化：ABF 膜、BT 樹脂等關(guān)鍵材料的本土供應能力顯著提升，部分產(chǎn)品性能達到國際水平，助力封裝基板成本下降 30% 以上。

? 設(shè)備與工藝：LDI 激光直接成像、AOI 自動光學檢測等設(shè)備的國產(chǎn)化率逐步提高，推動量產(chǎn)效率與良率優(yōu)化。

四、行業(yè)趨勢與市場機遇：Chiplet 與 3D 封裝驅(qū)動的設(shè)計革新

1. Chiplet 標準化與基板適配：UCIe 聯(lián)盟推動的 Chiplet 互連接口，要求基板支持跨廠商芯片接口互聯(lián)與熱膨脹系數(shù)精準匹配。例如，液冷集成基板通過微通道散熱設(shè)計解決 3D 堆疊芯片的熱管理難題，單塊基板價值量超 500 美元。

2. 3D 封裝技術(shù)演進：

? 扇出型封裝（FOWLP）：基板向超薄化（厚度 < 0.2mm）、大尺寸（12 英寸以上）發(fā)展，支持多芯片異構(gòu)集成；

? 混合鍵合（Hybrid Bonding）：通過銅 - 銅直接鍵合替代焊球，要求基板布線精度提升至 1μm 級，推動玻璃中介層技術(shù)落地。

1. 市場需求爆發(fā)：AI 服務器、自動駕駛芯片等新興領(lǐng)域拉動 ABF 載板需求，預計 2027 年全球市場規(guī)模將突破 223 億美元，年復合增長率 5.1%。

IC 封裝基板設(shè)計正從 “跟隨封裝需求” 轉(zhuǎn)向 “引領(lǐng)技術(shù)創(chuàng)新”，在材料革新、工藝突破與國產(chǎn)替代三大賽道上，國內(nèi)企業(yè)已展現(xiàn)出強勁的發(fā)展動能。如需獲取 ABF 載板設(shè)計解決方案或高多層基板量產(chǎn)工藝細節(jié)，可聯(lián)系 [愛彼電路] 技術(shù)團隊，共同探索先進封裝的無限可能。