現(xiàn)今典型電子消費(fèi)品所追尋的目標(biāo)，是欲將數(shù)量達(dá)百萬以上、數(shù)值從1Ω到1MΩ的電阻器；以及從1PF至少到1um的電容器等被動(dòng)組件做一番整合。至于電感器而言，則一般電子機(jī)器中所需者，不但用量廖廖可數(shù)少之又少，而且可能整合的最大數(shù)值也只有幾百個(gè)Nh(nano-Henry)而已。利用有機(jī)板材制作嵌入式被動(dòng)組件的時(shí)代即將到來，雖然此一邊趨勢目前并非燃眉之急，但市場的走向卻勢在必行。

對(duì)于有心跨足嵌入式電阻器（EP）領(lǐng)域的業(yè)者而言，首要工作是在種類頗多的嵌入式電阻器（ER）與電容器中，縮小其選擇范圍，并研發(fā)出一系列穩(wěn)定可行的生產(chǎn)制程。其量產(chǎn)的進(jìn)行可從第三方以包產(chǎn)式（turnkey）購買技術(shù)，或由研發(fā)工程師依據(jù)參考文獻(xiàn)所述，自行修改本身設(shè)備與流程而成?？傊?，無論出自何種構(gòu)思，務(wù)必皆應(yīng)遵循“愈普通愈好”的最高量產(chǎn)原則。若就EP的量產(chǎn)而言，任何復(fù)雜工法皆為不切實(shí)際之舉。反之，必須盡可能地研發(fā)出單純且成熟的流程，才能符合實(shí)際情況所需。

目前業(yè)界另方面所遭遇的困境，是嵌入式電容器的尺寸也很難再小了。在此首先就介質(zhì)材料的背景做一簡單論述。介質(zhì)材料主要區(qū)分為中介電質(zhì)（paraelectrics）與強(qiáng)介電質(zhì)（ferroelectrics）兩種：

中介電質(zhì)者包含SiO2、Al2O3、Ta2O5、、以及常用的聚合物等。中介電質(zhì)之K值通常只處于25至50之間，但其介質(zhì)常數(shù)（DK）卻較不受到頻率、電壓、溫度、及時(shí)間等因素所干擾。

至于強(qiáng)介質(zhì)者則已有BaTIO3、PbxZr1-xTIO3、BaxSr1-xTIO3等。強(qiáng)介電質(zhì)之K值通常較中介電質(zhì)高約1000倍以上，但相對(duì)地其介質(zhì)常數(shù)卻會(huì)因頻率、電壓、以及溫度等變數(shù)而每況愈下。舉例來說，在高頻（1GHz）的工作環(huán)境中，以強(qiáng)介電質(zhì)材料所制成的電容器，其電容量的損失程度，甚至可能會(huì)高達(dá)原本電容量的四分之一。

然而，以中介電質(zhì)材料制成的嵌入者，則幾乎全無變化。事實(shí)上，溫度對(duì)中介電質(zhì)之介質(zhì)常數(shù)可謂毫無影響力。對(duì)于某些采用強(qiáng)介電質(zhì)材料，對(duì)公差要求嚴(yán)格的應(yīng)用者，如射頻濾波器、交流直流轉(zhuǎn)換器、正時(shí)裝置等元件而言，不穩(wěn)定的Dk 乃是一項(xiàng)嚴(yán)重的隱憂。至于某些公差要求較寬松的場合，如終端處理、解耦合、及其他儲(chǔ)能用的電容器等，其DK的些微變化，就如同小痛小傷般無傷大雅。但若想要在有機(jī)板材中加入含有強(qiáng)介電質(zhì)的材料時(shí)，目前最困難的技術(shù)瓶頸，是該等強(qiáng)介電質(zhì)必須在氧氣環(huán)境中以500-700 ℃的高溫將之徹底熔化，如此之結(jié)晶型態(tài)方能符合高DK的需求，因而只能在板外先行燒制然后再置于板內(nèi)了。

到底有哪些制程可提供選擇？
如果對(duì)PCB線路板之壓合、銅箔、電鍍、濕制程蝕刻、或其他非真空制程仍然情有獨(dú)鐘時(shí)，則電阻器最好采用夾有鎳磷合金屬的基材板去制作。至于陶瓷厚膜預(yù)燒法，或厚膜印制（PTF）等工法均已商品化了。其中Ｎip夾心的基材板蝕刻法，最大電阻值約只200Ω/□而已，因此若想以此種材質(zhì)制作電阻值高于20KΩ電阻器時(shí)，其成品尺寸將難以避免地增大許多。倘欲另加一些非金屬物質(zhì)以增加其電阻值時(shí)，則其電阻溫度系數(shù)（TCR）又將變化很大而不再是0，因而造成的反效果也會(huì)不小。

有鑒于此，自低溫共燒陶瓷（LTCC）之技術(shù)者也途徑之一。該法系將陶瓷材料之硼化鋁（LaB6）先行涂布成像，并燒結(jié)在銅箔的粗糙面，隨即以其電阻器圖形面反壓在內(nèi)層板上，然后再蝕刻出銅線與單獨(dú)的電阻器，整體制程就算初步告成。另外，聚合物厚膜（PTF）亦可成為ER的理想制作材質(zhì)，在不致遭受時(shí)間、溫度、及濕度等外在因素干擾下，PTF式電阻器將會(huì)展現(xiàn)出十分優(yōu)異的電阻值（最高可達(dá)107Ω/□），且高品價(jià)格實(shí)惠，并適合全加成法之制程。

以一張1mil厚的FR4基材為例，其所產(chǎn)生之電容值大約只有0.150Nf/cm2,但目前手機(jī)板上所使用的電容器,平均要到達(dá)10nF之電容值，幸好此種方法尚可擴(kuò)大到整張電路板，而成為內(nèi)藏公用的電容。另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是電容器亦可構(gòu)成于電源層與接地層之間,因此訊號(hào)傳播時(shí)所衍生的雜訊將可降低許多,也就是提供了所謂的“解耦合(decoupling)”功能。此類電容器也可供全板于低頻領(lǐng)域之解耦合用途，而使得整張電路板之低頻雜訊得以減少，但卻無法取代高頻IC附近所羅列的解耦合電容器。電實(shí)上若欲減少高頻領(lǐng)域的雜訊時(shí)，則其電容器就必須在有限體積內(nèi)具備極大的電容量，才能應(yīng)付晶片之所需。

在致力增加單位電容方面，如果將介質(zhì)常數(shù)為10，000的鈦酸鋇粉末，與DK只有5的環(huán)氧樹脂，以重量百分比95：5的比例均勻混合在一起，其混合物的DK竟然還不到50，使得此種做法只能施展于低電容的領(lǐng)域。若再將已摻入強(qiáng)介質(zhì)粉末之環(huán)氧樹脂，制成厚度只有1/4mil的極其薄膜時(shí)，的能產(chǎn)生的電容值了僅只10nF/cm2而已。對(duì)于IC附近密集排列做為解耦合用的電容器類，欲以埋容取而代之者，則仍然是杯水車薪無濟(jì)于事，不過卻可在低電容的場合寥勝于無。此等復(fù)合材料的DK，也常因頻率、電壓、溫度、時(shí)間等因素的同理用于電容器之鈦酸鋇（BaTiO3）薄膜，也可預(yù)先使之燒結(jié)在銅箔粗面上，且所能提供的電容值亦相當(dāng)優(yōu)異（可高達(dá)5010nF/cm2）。ipcb是精密PCB線路板生產(chǎn)廠家,專業(yè)生產(chǎn)微波線路板,rogers高頻板,羅杰斯電路板,陶瓷電路板, HDI多層電路板,FPC軟硬結(jié)合板,盲埋孔電路板,鋁基板,厚銅電路板